Память оперативная Samsung Electronics HMCG66MEBUA081N

0 ₽

В избранноеСравнение

Доставка по всей России

Доставим Ваш заказ в любую точку России курьером или службой доставки, так же есть возможность самовывоза

Оплата онлайн

Оплата заказ различными способами: наличными, банковской картой курьеру или онлайн через платежные сервисы

Мы находимся в Махачкале

По адресу улица Нурадилова, 93. Приходите мы всегда Вам рады!

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)

8-гигабайтная оперативная память Hynix [HMCG66MEBUA081N] ориентирована на работу в составе стационарного компьютера начального или среднего уровня. Модуль соответствует типу DDR5. Тактовая частота устройства составляет 4800 МГц. Напряжение питания памяти стандартно для DDR5: величина этого показателя составляет 1.1 В. Модуль отличается низким энергопотреблением и минимальным тепловыделением. Радиатор конструкцией устройства не предусмотрен.
Оперативная память Hynix [HMCG66MEBUA081N] произведена с использованием зеленого текстолита. Внешний вид устройства наверняка придется по вкусу пользователям компьютерной техники со стажем. Компоновка чипов – односторонняя.

Производитель	Samsung Electronics
Количество в упаковке (кратность)	1
Объем в упаковке	0.000245 м³
Габариты	14 × 5 × 3.5 л
Вес	0.01 кг
Единица измерения	шт
Тип памяти	DDR5
Объем одного модуля (Гбайт)	8
Количество модулей в комплекте (шт.)	1
Частота (МГц)	4800
Пропускная способность	PC4-38400
CAS Latency (CL)	40
Общий объем памяти (Гбайт)	8
Форм-фактор памяти	DIMM

Память оперативная Samsung Electronics HMCG66MEBUA081N отзывы

About this product reviews yet. Be the first!

Категории:Комплектующие для ПК Оперативная память