Твердотельные накопители Samsung MZ-V9E1T0BW

0 ₽

В избранноеСравнение

Твердотельные накопители Samsung MZ-V9E1T0BW

Доставка по всей России

Доставим Ваш заказ в любую точку России курьером или службой доставки, так же есть возможность самовывоза

Оплата онлайн

Оплата заказ различными способами: наличными, банковской картой курьеру или онлайн через платежные сервисы

Мы находимся в Махачкале

По адресу улица Нурадилова, 93. Приходите мы всегда Вам рады!

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)

Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.
В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.

Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с
Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby
Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы

Производитель	Samsung Electronics
Количество в упаковке (кратность)	1
Объем в упаковке	0.00028 м³
Габариты	10 × 2 × 14 л
Вес	0.02 кг
Единица измерения	шт
Штрих-код EAN128	8806095300276
Назначение	Клиентские ПК
Интерфейс	PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Форм-фактор	M.2 2280
Ёмкость накопителя (Гбайт)	1000
Средняя наработка на отказ (ч)	1500000
Тип памяти	V-NAND
Скорость последовательного чтения (Мбайт/c)	5000
Скорость последовательной записи ( Мбайт/c)	4200
TBW твердотельного накопителя (Тбайт)	600
Кэш-память	HMB

Твердотельные накопители Samsung MZ-V9E1T0BW отзывы

About this product reviews yet. Be the first!

Категории:Комплектующие для ПК Накопители информации Твердотельные накопители